ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-126 |
|
ولتاژکاری |
300V |
|
جریان کاری |
1A |
|
VCBO |
300V |
|
VCEO |
300V |
|
VEBO |
9V |
|
IC |
1A |
|
ICM-ICPULSE |
3A |
|
IB |
0.75A |
|
IBM |
1.5A |
|
VCE(sat) |
1V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
1.2V |
|
hFE(min) |
5 |
|
hFE(max) |
25 |
|
ptot-PD |
40W |
|
FT |
10MHZ |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ON SEMICONDUCTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MJE13002 designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly
suited for 115 and 220V switchmode applications such as
switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor
control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.
FEATURES
*Collector-Emitter Sustaining Voltage:
VCEO (sus)=300V.
*Collector-Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A
*Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @IC=1.0A
برد ترانس پالس(برد درایور)دستگاه جوش IGBT مدل 250 آمپری یا 200 آمپری ترانس پالس 15:15 کیفیت بالا و صنعتی
7CH DARLINGTON SINK DRIVER,DIP-16 درایور 7 کانال دارلینگتون خروجی 500 میلی آمپر LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
HEXFET® Power MOSFET , p-Canal, 74A 55V TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 75 آمپر p کانال(مثبت) RDS=0.02 میلی اهم
BZX55C2V7 Zener Diodes 2.7V 500mW دیود زنر 2.7 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
