TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.1 Ω (typ.)
High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
5A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
5A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
15A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
1.9Ω |
|
td(ON) |
65ns |
|
tr |
30ns |
|
td(off) |
210-420ns |
|
Trr |
1.6µs |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.9x20x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
TOSHIBA |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
600V,30A IGBT,TO-3P ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
خازن مولتی لایر 12 نانو فاراد Multilayer ceramic capacitor 12nF 50V 123
مقاومت کربنی510 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 3.3 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
