MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 200 ولت 65 آمپر RDS(on) = 19.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Features
Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,
Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery
and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Response
High Repetitive Peak Current Capability for
Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175°C Operating Junction Temperature for
Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness
and Reliability
Class-D Audio Amplifier 300W-500W
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
65A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
65A |
|
ID(HIGH TEMP) |
46A |
|
IDM-IDP |
260A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
ماسفت قدرت N کانال 200 ولت 65 آمپر / RDS(on) = 21mΩ/ N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری۱ کیلو اهم 5 وات 1K5W 1K
مقاومت5 % کربنی 2 وات
پتانسیومتر 200 کیلو اهم خوابیده / POT 200K OHM / WH06-2C-200K
