MOSFET N-CH 60V 12A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 120 ولت 60 آمپر RDS(on) =3mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
60V |
|
جریان کاری |
12A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
60V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
210A |
|
ID(HIGH TEMP) |
150A |
|
IDM-IDP |
840A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
DISCS THYRISTOR N540CH18L W98624 S1002 C60 تریستور دیسکی زیمنس آلمان
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 1.5 کیلو اهم 1206 تلرانس 5 درصد
برد ماژول دیود 6 تاییD9202 فوچی ژاپن 200 یا 250 آمپری انواع دستگاه جوش های جدید وارداتی-ایران ترانس -رونیکسی ضخامت مس بسیار بالا -کیفیت بسیار بالا -تقویت شده با قلع - پیچ خور استاندارد کد AT-DI-6-S1
