ای جی بی تی الترا فست 20 آمپر 600 ولت اینفینیون اورجینال اتریش اس ام دی/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 20A, 600 V, Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft,
fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله یو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-263 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
28A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
28A |
|
IC(HIGH TEMP) |
40A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
166W |
|
VGE(th) |
4.1x4.9x5.7V |
|
VCE(sat) |
1.5V |
|
ICM-IC PULSE |
60A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
18ns |
|
tr |
14ns |
|
td(off) |
199ns |
|
Trr |
41ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
اتریش |
|
کیفیت |
اریجینال- چیپ اتریش |
| نوع مونتاژ | SMD |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
Features:
Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
Maximum Junction Temperature 175°C
Short circuit withstand time 5s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterruptible Power Supply
TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- very high switching speed
- low VCE(sat)
Positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Low Gate Charge
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Qualified according to JEDEC1 for target
خازن مولتی لایر 4.7 نانو فاراد Multilayer ceramic capacitor 4.7nF 50V 472
دیود سه فاز 1600 ولت 35 آمپر ساخت هند 35Amp 1600V. Three phase 6 Pack
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 600V دیود شاتکی 600 ولت 2 آمپر -
ترانزیستور PNP ولتاژ 150 ولت600 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -150V,-600mA PNP TRANSISTOR