SCR گیت تحریک 600 ولت 800 میلی آمپر MCR100-8 SENSITIVE GATE 600V,08A
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
MCR100-8
SENSITIVE GATE 600V,08A
SCR گیت تحریک 600 ولت 800 میلی آمپر
Reverse Blocking Triode Thyristors
PNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such
as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and
sensing and detection circuits. Supplied in an inexpensive plastic TO-226AA package
which is readily adaptable for use in automatic insertion equipment.
• Sensitive Gate Trigger Current — 200 mA Maximum
• Low Reverse and Forward Blocking Current — 100 mA Maximum, TC = 125°C
• Low Holding Current — 5 mA Maximum
• Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity
استفاده در دستگاه های جوش اینورتری و صنایع دیگر
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
23A,100V, 0.117 Ohm, P-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.117
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 10 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
رگلاتور ولتاژ متغیر(قابل تغییر) ثابت 3 آمپر 3.0A, 52kHz, Step-Down Switching Regulator
