HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB
ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 15mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
18A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
18A |
|
ID(HIGH TEMP) |
13A |
|
IDM-IDP |
72A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.15Ω |
|
td(ON) |
10ns |
|
tr |
19ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
167-251ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
توری یا گارد یا محافظ فن سایز 12 در 12 FAN GUARD 120*120mm
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 55 کیلو هرتز Switching Controllers 52kHz 1A Current PWM DIP8
خازن( فیلم)پلی استر 2.2 نانوفاراد 63 ولت 2.2NF/63V
