برخی محصولات سایت

پتانسیومتر 500 اهم خوابیده WH06-2C-500

3,230 تومان قیمت 2,980 تومان

ساخت چین

سبد خرید

جدید

مقاومت 2.2K-0805-5% SMD - بسته 100 تایی

16,000 تومان قیمت 11,200 تومان

ساخت چین

سبد خرید

51K-1/4W-1% - بسته 100 عددی

38,800 تومان قیمت 31,000 تومان

معمولی ساخت چین

سبد خرید

محصولات ویژه

MDS200-16

قیمت 1,636,600 تومان

اورجینال ساخت نیپا - کد JP ژاپن

سبد خرید

دسته هوای گرم 5 سیمه هیترهای GORDAK فابریکی

قیمت 478,200 تومان

واردات مستقیم -اورجینال گرداک

سبد خرید

MURP30040CT nippa

931,000 تومان قیمت 837,900 تومان

اورجینال نیپا-ساخت فیلیپین

سبد خرید

IRF9Z34N/IRF9Z34 اریجینال IR

IRF9Z34N یا IRF9Z34NPBF

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR

تعداد

تخفیف

قیمت

19.9 %

~~38,200 تومان~~ 30,600 تومان

+20

20.9 %

~~37,700 تومان~~ 30,200 تومان

+100

22.0 %

~~37,200 تومان~~ 29,800 تومان

+500

24.1 %

~~36,300 تومان~~ 29,000 تومان

موجودی:

110

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

برند: IR پکیج: TO-220 وزن: 2.0g ابعاد: 0.46x2.93x1.054 دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR

دریافت دیتا شیت

دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A
ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-220
ولتاژکاری	55V-
جریان کاری	19A-
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	55V-
VGS-VGSS	±20V
VGS(th)	2V-4V-
ID(25°C)	19A-
ID(HIGH TEMP)	14A-
IDM-IDP	68A-
PD(TA=25°C)	0.45W
PD(TC=25°C)	68W
RDS(on)	0.10Ω
td(ON)	13ns
tr	55ns
td(off)	30ns
Trr	54-82ns
MOSFET PACK	1
ابعاد	10.54x15.24x4.69mm
دمای کاری	175+~55-
برند	IR
کشور سازنده	-
کیفیت	ارجینال
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	-

مشخصات بیشتر:
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.