Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A
ماسفت قدرت 55 ولت 19 آمپر IR
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V- |
جریان کاری |
19A- |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
2V-4V- |
ID(25°C) |
19A- |
ID(HIGH TEMP) |
14A- |
IDM-IDP |
68A- |
PD(TA=25°C) |
0.45W |
PD(TC=25°C) |
68W |
RDS(on) |
0.10Ω |
td(ON) |
13ns |
tr |
55ns |
td(off) |
30ns |
Trr |
54-82ns |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 7 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
خازن MKT ظرفیت1.5 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT 1.5nF 100V 152j100V
25KOhm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 25K Ohm مولتی ترن 3296W-1-253LF
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 3 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر