75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت اورجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
75A |
VCE |
650V |
(IC(25°C |
100A |
(IC(HIGH TEMP |
75A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
595W |
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
(VCE(sat |
1.5-1.75-2V |
ICM-IC PULSE |
200A |
( IF(25°C |
100A |
(IF(HIGH TEMP |
75A |
(td(ON |
110ns |
tr |
48ns |
(td(off |
270ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
دیود فست 200 ولت 20 آمپر فوجی ژاپن - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,20A,TO-3P D9202
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 270 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
دیود پل تک فاز 200 ولت 6 آمپر شانه ای/ 6Amp 200V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
دیود شاتکی 100 ولت 20 آمپر / Switch-mode Power Rectifiers diode Schottky 100V Through Hole TO-220