برخی محصولات سایت

جدید

NP200U60MK1

قیمت 988,000 تومان

اورجینال نیپا

سبد خرید

مقاومت 330R-3W

قیمت 3,540 تومان

ساخت چین

سبد خرید

1N60

قیمت 988 تومان

اورجینال

سبد خرید

TSF4N60M/FQPF4N60C

قیمت 39,000 تومان

اورجینال

سبد خرید

22K-1/4W-1% - بسته 100 عددی

41,200 تومان قیمت 33,000 تومان

معمولی ساخت چین

سبد خرید

محصولات ویژه

MDS200-16

قیمت 1,736,800 تومان

اورجینال ساخت نیپا - کد JP ژاپن

سبد خرید

دسته هوای گرم 5 سیمه هیترهای GORDAK فابریکی

قیمت 507,500 تومان

واردات مستقیم -اورجینال گرداک

سبد خرید

MURP30040CT nippa

988,000 تومان قیمت 889,200 تومان

اورجینال نیپا-ساخت فیلیپین

سبد خرید

11N90E/FMH11N90E کمیاب -اورجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین

FMH11N90E/11N90E/11N90E

FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن

تعداد

تخفیف

قیمت

184,200 تومان

+20

1.2 %

181,900 تومان

+100

2.5 %

179,600 تومان

موجودی:

115

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد.

جایگزین: FQA11N90/11N90 برند: FUJI پکیج: TO-3P وزن: 4.4g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

FMH11N90E N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر فوجی الکتریک اصل ژاپن

مشخصات بیشتر :

دریافت دیتا شیت

ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر فوجی ژاپن
پکیجto-3p
استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	900V
جریان کاری	11A
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	900V
VGS-VGSS	±30V
VGS(th)	3.5-4-4.5V
ID(25°C)	11A
ID(HIGH TEMP)	-
IDM-IDP	44A
PD(TA=25°C)	2.5W
PD(TC=25°C)	285W
RDS(on)	0.83-1Ω
td(ON)	37-56ns
tr	32-48ns
td(off)	124-186ns
Trr	2µS
MOSFET PACK	1
ابعاد	15.5x19.5x4.5mm
دمای کاری	150+~55-
برند	FUJI
کشور سازنده	فیلیپین
کیفیت	ارجینال ژاپن مونتاژ فیلیپین
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	-

Features:

Maintains Both Low Power Loss and Low Noise
Lower R_DS(ON) Characteristic
More Controllable Switching dV/dt By Gate Resistance
Smaller V_GS Ringing Waveform During Switching
Narrow Band of the Gate Threshold Voltage (4.0 ±0.5 V)
High Avalanche Durability
Applications:
Switching Regulators
UPS
DC-DC Converters

MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q

Technical
Drain to Source Breakdown Voltage	900 V
Drain to Source Resistance	1 Ω
Element Configuration	Single
Gate to Source Voltage (Vgs)	30 V
Max Operating Temperature	150 °C
Min Operating Temperature	-55 °C
Power Dissipation	285 W
Turn-Off Delay Time	124 ns
Turn-On Delay Time	37 ns
Dimensions
Height	0.768 inch
Length	0.61 inch
Width	0.177 inch
Compliance
RoHS	Compliant