ماسفت فست 96 آمپر 200 ولت رنساس اریجینال ژاپن دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 200V,96A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
• Low leakage current
• High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
96A |
|
VCE |
200V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
96A |
|
VGE |
±30V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
60ns |
|
tr |
370ns |
|
td(off) |
220ns |
|
Trr |
180ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.94x21.13x5.02mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال ژاپن |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
رله 1 آمپر 5 ولت رله 5 ولت مخابراتی کیفیت عالی سونگل 8 پین 1A 125VAC/30VDC کیفیت و طول عمر بالا
مقاومت کربنی1 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
