فت N کانال جهت تقویت کننده ها 25 ولت 100 میلی آمپر n-channel JFETs VHF BuFFer Amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (2S0C) See Section 6
Gate·Drain or Gate·Source Voltage ................ -25 V
Gate Current ............................... 100 rnA
Total Device Dissipation (25°C Case Temperature) ...... 3 W l Power Derating (to 150°C) .................. 24 mWrC
Storage Temperature Range .............. -55 to +150°C .~: Operating Temperature Range ............. -55 to +150°C
Lead Temperature
(1/16" from case for 10 seconds) ............... 300°C
HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, High Speed Switching & Low Power Loss
شنت 600 آمپری قوی و سیمی انواع دستگاه های جوش و برش و اینورتر تایوانی - الیاژی و بسیار با دوام MADE IN TAIWAN
ماسفت دوبل NAND - SN75372 is a dual NAND gate interface circuit designed to drive power MOSFETs from TTL inputs