ماسفت 60 ولت 12 آمپرP کانال - P-Channel SWITCHING MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
استفاده در انواع کنترل کننده های موتور
اینورترهای جوش و برش
اینورترهای خورشیدی
مبدل های دی سی به دی سی
DESCRIPTION
The 2SJ598 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed
for solenoid, motor and lamp driver.
FEATURES
• Low on-state resistance:
RDS(on)1 = 130 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –6 A)
RDS(on)2 = 190 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –6 A)
• Low Ciss: Ciss = 720 pF TYP.
• Built-in gate protection diode
• TO-251/TO-252 package
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-252 |
|
ولتاژکاری |
-60V |
|
جریان کاری |
12A |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
- |
|
VGS-VGSS |
- |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
12 |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
30 |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
23W |
| RDS(on) |
130m |
|
td(ON) |
7ns |
|
tr |
4ns |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
50ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
- |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
NEC |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | SMD |
| ویژگی خاص | - |
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
مقاومت کربنی6.8 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 5.6 اهم 0805 تلرانس 5 درصد
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 6 پین(نری) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
