75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
650V |
| (IC(25°C |
100A |
|
(IC(HIGH TEMP |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
438W |
|
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
|
(VCE(sat |
1.5-1.75-2V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
( IF(25°C |
100A |
|
(IF(HIGH TEMP |
75A |
|
(td(ON |
110ns |
|
tr |
48ns |
|
(td(off |
270ns |
|
Trr |
80ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB ماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 44mΩ
3296W-1-103LF/ 10KOhm مولتی ترن 1/2 وات 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 10K Ohm مولتی ترن 103
مقاومت5 % کربنی 1 وات
کانورتر افلاین تا 132 کیلوهرتز TOP245PN AC/DC Converters 60W 85-265 VAC 85 W 230 VAC Power Integrations
