ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-126 |
|
ولتاژکاری |
300V |
|
جریان کاری |
1A |
|
VCBO |
300V |
|
VCEO |
300V |
|
VEBO |
9V |
|
IC |
1A |
|
ICM-ICPULSE |
3A |
|
IB |
0.75A |
|
IBM |
1.5A |
|
VCE(sat) |
1V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
1.2V |
|
hFE(min) |
5 |
|
hFE(max) |
25 |
|
ptot-PD |
40W |
|
FT |
10MHZ |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ON SEMICONDUCTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MJE13002 designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly
suited for 115 and 220V switchmode applications such as
switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor
control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.
FEATURES
*Collector-Emitter Sustaining Voltage:
VCEO (sus)=300V.
*Collector-Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A
*Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @IC=1.0A
14A,500V, 0.4 Ohm, N-Channel Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 14 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.4
وان قلع استیل 38 کیلویی 2000 وات - سایز داخلی طول 30 / عرض25/ ارتفاع 7 /سانتیمتری - کنترل دمای دیجیتالی بین 0 تا 600 درجه سانتیگراد - محفظه جداگانه جهت قلع اکسید شده -L300×W250×H70mm
سایز 21 در 11.5 سانتیمتر-برد رکتیفایر یا 8 دیودی 40 امپر دستگاه جوش مدل 250 آمپری IGBT نویزگیر TDK ژاپن خروجی ترانس مرکزی بزرگ استفاده از VDR
ترانزیستور NPN ولتاژ 65 ولت100 میلی آمپر Bipolar Transistors BJT 65V,100mA NPN TRANSISTOR
