N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET in a TO-220FP package ماسفت قدرت 600 ولت 20 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.165Ω
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع پاورهای صنعتی- سوئیچینگ ها- ماینر ها
FEAUTURES
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Applications
Switching applications
Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the second generation of
MDmesh™ technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220FP |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
20A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
600V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
20A |
ID(HIGH TEMP) |
12.6A |
IDM-IDP |
80A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
35W |
RDS(on) |
0.165Ω |
td(ON) |
13ns |
tr |
25ns |
td(off) |
85ns |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
ST |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ماسفت STF26NM60N
ماسفت 26NM60N
ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 60 A Field Stop IGBT / پکیچ TO-3P/ سیلان
مقاومت5 % کربنی 1 وات
وان قلع استیل 38 کیلویی 2000 وات - سایز داخلی طول 30 / عرض25/ ارتفاع 7 /سانتیمتری - کنترل دمای دیجیتالی بین 0 تا 600 درجه سانتیگراد - محفظه جداگانه جهت قلع اکسید شده -L300×W250×H70mm
سایز 21 در 11.5 سانتیمتر-برد رکتیفایر یا 8 دیودی 40 امپر دستگاه جوش مدل 250 آمپری IGBT نویزگیر TDK ژاپن خروجی ترانس مرکزی بزرگ استفاده از VDR